Tajwańska firma TSMC przygotowuje trzy zakłady w różnych częściach wyspy do produkcji komponentów w procesie 2 nm, jednak ostatnie plotki wspominają o możliwości spowolnienia realizacji odpowiednich projektów. Według źródeł co najmniej jedno z przedsiębiorstw, w którym należy opanować masową produkcję wyrobów w procesie 2 nm, rozpocznie podstawową działalność nie wcześniej niż w 2026 roku.
Dość autorytatywny zasób TrendForce, który powołuje się na publikacje tajwańskich mediów, niespodziewanie zainteresował się tą okazją informacyjną. Jak wyjaśnia publikacja, TSMC spodziewa się opanować produkcję wyrobów w procesie 2 nm w trzech przedsiębiorstwach w różnych częściach Tajwanu: w Baoshan (Hsinchu) na północy, Taichung w centralnej części wyspy oraz w Kaohsiung na południu.
Początkowo, jak podają źródła, TSMC zamierzało zbudować fabrykę Fab 20 w Baoshan, aby w drugiej połowie przyszłego roku rozpocząć pilotażową produkcję wyrobów w procesie 2 nm, a w 2025 r. rozpocząć seryjną produkcję wyrobów w procesie 2 nm. Teraz władze miejskie, korzystając z wykonawców, rozpoczęły tworzenie infrastruktury inżynieryjnej i drogowej, która będzie potrzebna przyszłemu przedsiębiorstwu TSMC na północy wyspy. Według plotek sama budowa zakładu ulegnie pewnemu opóźnieniu, gdyż popyt na komponenty półprzewodnikowe powoli odbudowuje się, a producent po prostu nie jest pewien, czy w przyszłości będzie musiał zwiększać moce produkcyjne w tym samym tempie. Zamiast drugiej połowy 2025 r. masową produkcję chipów 2 nm w tym zakładzie TSMC można rozpocząć dopiero w 2026 r.
Swoją drogą przedstawiciele TSMC, jak podaje TrendForce, do wszystkich tych plotek dołączyli jedynie oświadczenie o utrzymaniu planowanego tempa uruchamiania nowych przedsiębiorstw. W Kaohsiung rozpoczęła się już budowa zakładu do produkcji chipów 2 nm, a montaż sprzętu miał rozpocząć się miesiąc po zakładzie w Baoshan. W centralnej części Tajwanu fabryka w Taichung rozpocznie budowę dopiero w przyszłym roku, zatem będzie miała najmniejszy wpływ na harmonogram rozwoju procesu 2 nm w całej działalności TSMC. Według niektórych doniesień lokalne przedsiębiorstwo TSMC może od razu przejść do rozwoju technologii procesowej 1,4 nm lub 1 nm, pomijając fazę 2 nm.
Oczekuje się, że przy wprowadzaniu na rynek produktów wykonanych w procesie 2 nm TSMC zastosuje strukturę tranzystora bramka-otoczenie (GAA), którą firma Samsung Electronics przyjęła już w ramach swojej technologii procesu 3 nm. Złożoność tej technologii stwarza dla TSMC pewne ryzyko pod względem czasu opanowania produkcji chipów 2 nm, a także poziomu defektów. Z kolei Intel planuje już do 2025 roku opanować technologię procesową 18A dzięki różnym innowacjom układu, takim jak analog GAA o nazwie RibbonFET i technologia PowerVia, która zapewnia zasilanie z odwrotnej strony podłoża. Zatem w przypadku opóźnień w opanowaniu procesu 2 nm TSMC ryzykuje, że pozostanie w tyle nie tylko za Samsungiem, ale także za Intelem.