Na nadchodzącej konferencji IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), która odbędzie się w lutym, nie tylko Samsung będzie mówił o nowej generacji pamięci wideo GDDR7. Podobne opracowanie ma zamiar ogłosić firma SK hynix.
Pamięć GDDR7 firmy SK hynix będzie oferować prędkość 35,4 Gb/s na pin. To mniej niż pamięć Samsunga, która zapewnia prędkość 37 Gb/s. Jednak w obu przypadkach chipy będą miały pojemność 16 Gbit. Dzięki temu, przy GPU obsługującym 256-bitową magistralę pamięci, po jednej stronie karty graficznej można umieścić aż 16 GB pamięci.
Nie wszystkie układy pamięci GDDR7 nowej generacji będą oferować prędkość 37 Gbit/s. Niektóre chipy będą wolniejsze, jak ma to miejsce w przypadku SK hynix. Jednak niewątpliwie i one znajdą zastosowanie. Podobnie jak Samsung, SK hynix wykorzystuje modulację amplitudy impulsów PAM3 w pamięci GDDR7, a także własną, energooszczędną architekturę. Firma nie wyjaśnia jednak, który dokładnie i czy jest podobny do czterech wolnych stanów zegara, jak w chipach Samsunga.
Oczekuje się, że pamięć GDDR7 będzie aktywnie wykorzystywana w nowej generacji akceleratorów graficznych, zarówno w segmencie gamingowym, jak i profesjonalnym. Jednak rynki obliczeń AI i HPC będą w dalszym ciągu w dużym stopniu polegać na wysokowydajnej pamięci HBM3E. Tutaj również SK hynix ma nowe produkty. Producent będzie mówił o nowych 16-warstwowych stosach pamięci HBM3E o pojemności 48 GB, zdolnych do dostarczania prędkości na poziomie 1280 GB/s. Procesor graficzny wyposażony w cztery takie stosy pamięci o łącznej pojemności 192 GB będzie w stanie zapewnić przepustowość na poziomie 5,12 TB/s.
Nowy stos pamięci HBM3E firmy SK hynix jest wyposażony w nowy, wszechstronny zasilacz TSV (przez złącze krzemowe) i 6-fazową konstrukcję RDQS. Producent pokaże także nową pamięć LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) do smartfonów, tabletów i cienkich laptopów. Chipy te zapewniają szybkość przesyłania danych do 10,5 Gb/s na pin i działają przy napięciu 1,05 V.
