Prezes i szef działu pamięci Samsung Electronics Jung-Bae Lee powiedział w poście na blogu, że na początku 2024 roku firma rozpocznie masową produkcję pamięci 3D NAND dziewiątej generacji, składającej się z ponad 300 warstw. Dzięki temu możemy spodziewać się pojawienia się do końca 2024 roku nowych i pojemniejszych dysków SSD Samsunga, których gęstość zapisu pozostanie najwyższa w branży.
Warto zauważyć, że firma SK Hynix jako pierwsza ogłosiła zamiar pokonania bariery 300 warstw w pamięci 3D NAND. W sierpniu tego roku podczas wydarzenia Flash Memory Summit (FMS) 2023 pokazała próbkę 321-warstwowej pamięci 3D NAND. Samsung nie zdradza szczegółów dotyczących jej rozwoju, ale obiecuje, że będzie to najbardziej wielowarstwowa pamięć w branży. Może mieć nawet mniej warstw niż SK Hynix, ponieważ konkurencyjny Samsung rozpocznie produkcję swojej zaawansowanej pamięci dopiero w połowie 2025 roku.
Kolejną różnicą pomiędzy 300-warstwowymi pamięciami Samsunga i SK Hynix będzie ich układ. Jeśli SK Hynix zamierza produkować chipy 321-warstwowe w postaci stosu trzech bloków instalowanych jeden na drugim, to Samsung obiecuje wypuścić na rynek struktury dual-stack. Każdy z bloków wytwarzany jest na podłożu krzemowym w swoim własnym cyklu, a po cięciu montowane są z nich gotowe wióry w postaci ułożonych w stos struktur. Oczywiście dwupoziomowe konstrukcje Samsunga będą prostsze, bardziej niezawodne i być może tańsze niż trójpiętrowe konstrukcje SK Hynix. Jest jednak jedno zastrzeżenie: każdy blok pamięci Samsunga będzie miał więcej warstw, co czyni je trudniejszymi i droższymi w produkcji.
Szef działu pamięci Samsunga powiedział także, że specjaliści firmy pracują nad poprawą wydajności przyszłej pamięci, a nie tylko zwiększeniem jej pojemności. Postęp nie stoi w miejscu i wraz z nowym interfejsem PCIe 5.0 już niedługo w sprzedaży możemy spodziewać się bardziej zaawansowanych dysków SSD Samsunga.
