Samsung rozpoczął dostarczanie prototypów wysokowydajnych układów pamięci HBM3E piątej generacji o nazwie kodowej Shinebolt, podaje południowokoreańska publikacja Business Korea. Wraz z ciągłym wzrostem zapotrzebowania na wysokowydajny sprzęt do zadań związanych ze sztuczną inteligencją, ten typ pamięci staje się coraz bardziej odpowiedni w porównaniu z konwencjonalnymi DRAM.
Według producenta nowe układy pamięci HBM3E oferują o około 50% większą przepustowość w porównaniu do rozwiązań Samsunga poprzedniej generacji. Prototypy Samsunga mają ośmiopoziomowy układ 24-gigabitowych chipów. Poinformowano, że producent kończy także prace nad 12-poziomowymi układami pamięci HBM3E o pojemności 36 GB.
Wczesne testy wykazały, że pamięć Samsung HBM3E o nazwie kodowej Shinebolt zapewnia przepustowość na poziomie 1,228 TB/s, czyli więcej niż te same układy HBM3E oferowane przez lidera branży SK hynix.
Do produkcji pamięci HBM firma Samsung konsekwentnie stosuje metodę nieprzewodzącej folii termokompresyjnej (TC-NCF). Z kolei firma SK hynix wykorzystuje bardziej zaawansowaną technologię zaawansowanego wypełniania metodą rozpływu masy (MR-MUF) do produkcji układów pamięci HBM, która polega na łączeniu kilku układów pamięci na jednym podłożu poprzez lutowanie.
Według Business Korea Samsung kontynuuje także badania nad bardziej zaawansowanymi procesami montażu stosów pamięci HBM przy użyciu lutowania hybrydowego.
