Samsung otworzył nowe laboratorium badawcze w Stanach Zjednoczonych – podaje „The Korea Times”, powołując się na swoje źródła. Firma zlokalizowana w Dolinie Krzemowej opracowuje technologie pamięci 3D DRAM w ramach programu Device Solutions America. Jak wynika z publikacji, zadaniem nowego laboratorium Samsunga jest uczynienie z firmy lidera na światowym rynku pamięci 3D DRAM.
3D DRAM to pamięć DRAM wyprodukowana przy użyciu technologii układu trójwymiarowego. Celem procesu produkcyjnego 3D jest lepsze wykorzystanie fizycznych ograniczeń chipów poprzez pionowe ułożenie dodatkowych warstw lub matryc jedna na drugiej.
Przykładem technologii 3D RAM jest technologia 3D V-Cache, która jest stosowana w konsumenckich procesorach AMD Ryzen X3D, a także w niektórych chipach serwerowych. W tym przypadku 3D V-Cache to dodatkowa warstwa pamięci podręcznej L3, która jest nałożona na główną warstwę pamięci podręcznej L3 procesora.
„The Korea Times” przypomina, że Samsung był pierwszą firmą, która ponad dziesięć lat temu wprowadziła technologię trójwymiarowej pamięci flash NAND, którą firma nazywa V-NAND. Jest nadal używany w dyskach półprzewodnikowych. Poza tym inni producenci również opanowali produkcję pamięci flash 3D NAND i z każdym rokiem zwiększają liczbę warstw – w nowoczesnych chipach ich liczba przekroczyła 230.
Technologia produkcji pamięci podręcznej 3D udowodniła swoją skuteczność w segmencie procesorów. Samsung już w październiku 2023 roku informował, że trójwymiarowa struktura kryształów RAM, wytwarzanych w procesach technicznych cieńszych niż 10 nm, umożliwi w przyszłości tworzenie pojemniejszych układów pamięci DRAM o gęstości przekraczającej 100 Gbitów na chip.