Sukces SK hynix jako głównego dostawcy pamięci HBM został wczoraj potwierdzony w sprawozdaniach finansowych firmy, podczas gdy jej większy konkurent Samsung Electronics pozostaje na uboczu w tym segmencie rynku. Nie przeszkodziło mu to jednak w podpisaniu kontraktu na dostawę HBM3E z AMD na kwotę 3 miliardów dolarów.
O transakcji informuje TrendForce, powołując się na południowokoreańskie media. Według nich w drugiej połowie tego roku AMD spodziewa się wypuścić na rynek akceleratory obliczeniowe Instinct MI350, a Samsung dostarczy im 12-poziomowe układy pamięci HBM3E. Według doniesień transakcja zakłada swego rodzaju „barter”: część kości pamięci zostanie wymieniona na akceleratory AMD. TSMC będzie bezpośrednio produkować chipy akceleratora Instinct MI350 w technologii 4 nm. Ponadto AMD negocjuje z Samsungiem temat kontraktowej produkcji swoich chipów, jednak określona umowa na dostawę HBM3E nie jest w żaden sposób związana z tym tematem.
Już w październiku 2023 roku Samsung wprowadził na rynek chipy HBM3E z rodziny Shinebolt, a w lutym tego roku zademonstrował je w 12-poziomowej konstrukcji, pozwalającej na uformowanie aż 36 GB pamięci tego typu w jednym stosie. Masowa produkcja takich chipów rozpocznie się w drugiej połowie 2024 roku. Zwiększają przepustowość półtorakrotnie, aż do 1280 GB/s. Dzięki zastosowaniu bardziej zaawansowanej technologii pakowania wysokość 12-warstwowych żetonów utrzymuje się na poziomie 8-warstwowych żetonów poprzedniej generacji. Dwunastowarstwowe stosy pamięci poprawiają wydajność zadań związanych ze sztuczną inteligencją średnio o 34% w porównaniu do 8-warstwowych.
