Oprócz rozmów na temat układów pamięci GDDR7 o prędkości 37 Gb/s na styk, Samsung Electronics ujawni także szczegóły dotyczące innych innowacyjnych produktów w dziedzinie rozwoju układów pamięci podczas lutowej konferencji IEEE-SSCC 2024. Na przykład firma opowie o przyszłych 280-warstwowych układach pamięci flash 1 Tbit 3D QLC NAND. W przyszłości znajdą zastosowanie w konsumenckich dyskach półprzewodnikowych i smartfonach.
Te układy pamięci flash Samsung będą oferować gęstość 28,5 Gbit/mm2 i prędkość 3,2 GB/s. Dla porównania, obecnie najszybsze układy pamięci flash 3D NAND stosowane w najbardziej zaawansowanych dyskach NVMe zapewniają prędkość przesyłu danych aż do 2,4 GB/s.
Samsung opowie także na wydarzeniu o nowej generacji układów pamięci DDR5 w standardzie DDR5-8000 o pojemności 32 Gbit (4 GB). Układy te wykorzystują symetryczną architekturę kafelkową komórek pamięci. Same chipy będą produkowane w technologii procesowej piątej generacji 10 nm firmy Samsung.
W oparciu o takie układy producenci modułów RAM będą mogli w przyszłości produkować jednorzędowe pamięci DDR5-8000 o pojemności 32 i 48 GB lub dwurzędowe moduły pamięci o pojemności 64 lub 96 GB.