Wiadomo było o nadchodzącym raporcie inżynierów Samsunga na konferencji IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Stanie się to 19 lutego. Eksperci opowiedzą o przyszłości 400-warstwowej pamięci 3D NAND, jakiej nie ma jeszcze żaden producent na świecie.
Zgodnie z dokumentem, przyszła pamięć Samsunga będzie miała ponad 400 warstw roboczych. Kryształy z oddzielnymi zestawami warstw będą łączone ze sobą w procesie produkcyjnym (technologia WF-Bonding lub substrat z podłożem), co uprości produkcję wielowarstw. chipy pamięci.
Obecnie pamięci o największej liczbie warstw produkowane są masowo lub w próbkach firm SK Hynix (321 warstw), Samsung (286), Micron (276), Western Digital i Kioxia (218) oraz SK Hynix Solidigm (192). Jednocześnie Western Digital, Kioxia i YMTC opracowują pamięć 300-warstwową, która zostanie zaprezentowana w nadchodzącym roku. Główna walka o mistrzostwo rozgorzała pomiędzy SK Hynix i Samsungiem, które są gotowe szturmować granice pamięci z 400 lub więcej warstwami.
Zaprezentowany 400-warstwowy chip Samsunga będzie miał pojemność 1 Tbit i gęstość 28 Gbit/mm2. Do każdej komórki zostaną zapisane trzy bity danych. Deklarowana prędkość transferu dla każdego styku wyniesie 5,6 Gbit/s, czyli o 75% więcej w porównaniu z obecnymi układami pamięci Samsunga 9. generacji (400-warstwowa pamięć będzie należeć do V-NAND Samsunga 10. generacji). Oczywiście taka pamięć nadaje się do tworzenia dysków SSD z magistralami PCIe 5.0 i PCIe 6.0.
Gęstsza pamięć Samsunga może skłonić producentów do wypuszczenia dysków SSD o pojemności 256 TB, a nawet 512 TB. Być może stanie się to za rok lub dwa. Poczekajmy na lutowy raport i jaśniejsze stanowisko kierownictwa Samsunga w sprawie produkcji nowych pamięci.
