Technologia pamięci RAM DDR5 nie stoi w miejscu. Producenci starają się wycisnąć z niego maksimum wydajności. Dostępne na rynku nowoczesne moduły DDR5 oferują już prędkości do 8000 MT/s, a nawet wyższe. Z tej okazji Asus wprowadził nową implementację gniazda DIMM, NitroPath DRAM Technology, mającą na celu poprawę jakości transmisji sygnału pomiędzy procesorem a pamięcią RAM, a także zwiększenie niezawodności samych złączy DIMM.
Jak stwierdzono na oficjalnym blogu Asusa, technologia NitroPath DRAM poprawia wydajność pamięci RAM dzięki nowemu schematowi routingu. Dzięki zastosowaniu krótszych, pozłacanych styków wewnątrz złącza, poziom szumów przesyłanego sygnału zostaje obniżony. W połączeniu ze zoptymalizowanymi ścieżkami sygnałowymi na płytach głównych pomiędzy procesorem a modułami pamięci, technologia NitroPath DRAM umożliwia zwiększenie przetaktowywania pamięci RAM nawet o 400 MT/s.
Technologia NitroPath DRAM oznacza także wzmocnienie samych gniazd DIMM, co zwiększa ich trwałość. Producent poprawił wytrzymałość złączy, aby wytrzymywały obciążenia boczne podczas instalacji (do 20%) i usuwania modułów pamięci (do 25%), a także mocowanie złączy na płycie głównej (o 57%) w porównaniu do konwencjonalnych złączy DIMM.
Pierwszymi płytami Asusa, które otrzymały gniazda DIMM z technologią NitroPath DRAM, były zaprezentowane dziś flagowe modele ROG Crosshair X870E Hero i ROG Strix X870E-E Gaming WIFI dla procesorów Ryzen 9000.